STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 91 A, Hip-247, 通孔安装, 4引脚, SCTWA70N120G2V-4系列
- RS 库存编号:
- 233-0475P
- 制造商零件编号:
- SCTWA70N120G2V-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
可享批量折扣
小计 5 件 (按管提供)*
¥1,845.30
(不含税)
¥2,085.20
(含税)
有库存
- 另外 378 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB369.06 |
| 10 - 14 | RMB361.67 |
| 15 - 19 | RMB354.43 |
| 20 + | RMB347.35 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-0475P
- 制造商零件编号:
- SCTWA70N120G2V-4
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 91A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | SCTWA70N120G2V-4 | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 2.7V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 150nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 最大功耗 Pd | 547W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 长度 | 34.8mm | |
| 宽度 | 15.6 mm | |
| 高度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 91A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 SCTWA70N120G2V-4 | ||
包装类型 Hip-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 2.7V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 150nC | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
最大功耗 Pd 547W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 200°C | ||
长度 34.8mm | ||
宽度 15.6 mm | ||
高度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 设备是使用 ST 的 Advanced 和创新的第 2 代 SiC MOSFET 技术开发而成。该设备的单位面积具有极低的接通电阻和非常好的切换性能。切换损耗的变化几乎与接点温度无关。
非常快速且坚固的本征主体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
非常高的工作接点温度能力 (TJ = 200 °C)
源感应引脚，用于提高效率