STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 91 A, Hip-247, 通孔安装, 3引脚, SCTW70N系列
- RS 库存编号:
- 233-3023
- 制造商零件编号:
- SCTW70N120G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-3023
- 制造商零件编号:
- SCTW70N120G2V
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 91A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | SCTW70N | |
| 包装类型 | Hip-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 21mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 547W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | |
| 正向电压 Vf | 2.7V | |
| 最高工作温度 | 200°C | |
| 高度 | 20.15mm | |
| 长度 | 15.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 91A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 SCTW70N | ||
包装类型 Hip-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 21mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 547W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最大栅源电压 Vgs 22 V | ||
正向电压 Vf 2.7V | ||
最高工作温度 200°C | ||
高度 20.15mm | ||
长度 15.75mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5.15 mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 碳化硅功率 MOSFET 的生产利用了宽带隙材料的 Advanced 创新特性。这可在每个装置区域产生无与伦比的接通电阻和非常好的切换性能，几乎不受温度影响。SiC 材料的卓越的热特性允许设计人员使用工业标准轮廓，显著提高了热性能。这些功能使该设备特别适用于高效率和高功率密度应用。
非常高的工作接点温度能力 (TJ = 200 °C)
非常快速且坚固的本征主体二极管
极低的栅极电荷和输入电容