STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 12 A, H2PAK, 表面安装, 3引脚, STB37N60系列
- RS 库存编号:
- 233-3040
- 制造商零件编号:
- STH12N120K5-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 制造商零件编号:
- STH12N120K5-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | STB37N60 | |
| 包装类型 | H2PAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 690mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44.2nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最大功耗 Pd | 250W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 15.8 mm | |
| 高度 | 4.8mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 STB37N60 | ||
包装类型 H2PAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 690mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44.2nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最大功耗 Pd 250W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 15.8 mm | ||
高度 4.8mm | ||
长度 10.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics 极高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh ™ K5 技术设计。因此可显著降低接通电阻和超低栅极电荷，适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
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