STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, STN3N系列
- RS 库存编号:
- 233-3091
- 制造商零件编号:
- STN3NF06
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 233-3091
- 制造商零件编号:
- STN3NF06
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | STN3N | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 0.007 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
系列 STN3N | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 0.007 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
STMicroelectronics 功率 MOSFET 是基于 STMicroelectronics 独特 \" 单功能尺寸™ \" 条带工艺的最新开发产品。由此产生的晶体管具有极高的封装密度，具有低接通电阻，坚固的雪崩特性和不太关键的校准步骤，因此具有出色的制造可重现性。
卓越的 dv/dt 能力
雪崩强化技术
通过 100% 雪崩测试
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