STMicroelectronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 4 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, STN3NF06, STN3N系列

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233-3092P
制造商零件编号:
STN3NF06
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

STN3N

包装类型

SOT-223

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

7mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

3.3W

最高工作温度

150°C

宽度

7 mm

高度

1.6mm

标准/认证

No

长度

6.5mm

汽车标准

STMicroelectronics 功率 MOSFET 是基于 STMicroelectronics 独特 \" 单功能尺寸™ \" 条带工艺的最新开发产品。由此产生的晶体管具有极高的封装密度,具有低接通电阻,坚固的雪崩特性和不太关键的校准步骤,因此具有出色的制造可重现性。

卓越的 dv/dt 能力

雪崩强化技术

通过 100% 雪崩测试

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