Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=1200 V, 33 A, TO-247, 通孔安装, 3引脚, AIMW120R080M1XKSA1, CoolSiC系列
- RS 库存编号:
- 233-3491
- 制造商零件编号:
- AIMW120R080M1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-3491
- 制造商零件编号:
- AIMW120R080M1XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 系列 | CoolSiC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 80mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 正向电压 Vf | 5.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 16.3mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 21.5 mm | |
| 高度 | 5.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-247 | ||
系列 CoolSiC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 80mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
正向电压 Vf 5.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 16.3mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 21.5 mm | ||
高度 5.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
用于汽车系列的 Infineon CoolSiC MOSFET 专为混合动力和电动车辆中的当前和未来板载充电器和直流 - 直流应用而开发。它具有 33 A 漏极电流。
提高效率
启用更高频率
功率密度增加
降低冷却力