Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 396 A, HDSOP, 表面安装, 16引脚, IPTC系列
- RS 库存编号:
- 233-4373P
- 制造商零件编号:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥543.65
(不含税)
¥614.32
(含税)
有库存
- 另外 1,548 件在 2026年2月16日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB54.365 |
| 100 - 248 | RMB53.30 |
| 250 - 498 | RMB52.23 |
| 500 + | RMB51.155 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-4373P
- 制造商零件编号:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 396A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | HDSOP | |
| 系列 | IPTC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 16 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.2mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 175nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 10.3 mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.35mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 396A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 HDSOP | ||
系列 IPTC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 16 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.2mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 175nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 10.3 mm | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.35mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IPTC012N08NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 侧冷却封装，可提供卓越的热性能。此创新型封装结合 OptiMOS 5 技术的主要功能，使杰出产品具有 80 V 电压以及 300 A 的高电流额定值，适用于高功率密度设计。通过 TOP 侧面冷却设置，排放器暴露在封装表面， 95% 的散热可直接提升到散热器，与收费封装相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通过 Toll 或 D2PAK 等底部散热封装，热量通过印刷电路板散热到散热器，导致高功率损耗。
负支架
在冷却系统中节省成本
提高系统效率，延长电池寿命