Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 330 A, HDSOP, 表面安装, 16引脚, IPTC014N08NM5ATMA1, IPTC系列

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包装方式：
RS 库存编号:
233-4375P
制造商零件编号:
IPTC014N08NM5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

330A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

IPTC

包装类型

HDSOP

安装类型

表面

引脚数目

16

最大漏源电阻 Rd

1.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

300W

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

144nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

10.1mm

宽度

10.3 mm

高度

2.35mm

汽车标准

否

Infineon IPTC014N08NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 侧冷却封装，可提供卓越的热性能。此创新型封装结合 OptiMOS 5 技术的主要功能，使杰出产品具有 80 V 电压以及 300 A 的高电流额定值，适用于高功率密度设计。通过 TOP 侧面冷却设置，排放器暴露在封装表面， 95% 的散热可直接提升到散热器，与收费封装相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通过 Toll 或 D2PAK 等底部散热封装，热量通过印刷电路板散热到散热器，导致高功率损耗。

负支架

在冷却系统中节省成本

提高系统效率，延长电池寿命

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