Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=279 A, 16针, HDSOP, IPTC系列

Infineon IPTC019N10NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 侧冷却封装，可提供卓越的热性能。此创新型封装结合 OptiMOS 5 技术的主要功能，使杰出产品具有 100 V 电压以及 300 A 的高电流额定值，适用于高功率密度设计。通过 TOP 侧面冷却设置，排放器暴露在封装表面， 95% 的散热可直接提升到散热器，与收费封装相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通过 Toll 或 D2PAK 等底部散热封装，热量通过印刷电路板散热到散热器，导致高功率损耗。

负支架