Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 108 A, HSOG, 表面安装, 8引脚, IPTG系列
- RS 库存编号:
- 233-4389P
- 制造商零件编号:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB48.25 |
| 100 - 248 | RMB47.305 |
| 250 - 498 | RMB46.36 |
| 500 + | RMB45.41 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-4389P
- 制造商零件编号:
- IPTG111N20NM3FDATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 108A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | IPTG | |
| 包装类型 | HSOG | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 11.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 宽度 | 8.75 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 108A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 IPTG | ||
包装类型 HSOG | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 11.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 2.4mm | ||
长度 10.1mm | ||
宽度 8.75 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET IPTG111N20NM3FD 采用改进型到引线封装，带鸥翼引线。与 D2PAK 7 引脚相比， TOLG 具有与无铅封装兼容的外形尺寸，可实现出色的电气性能，板空间减少 ∼60%。OptiMOS 3 - 200 V 的这款新封装提供非常低的 RDS (接通) ，经优化可处理 300 A 的高电流鸥翼引线的灵活性，采用 TOLG 封装的 OptiMOS 在 AL-IMS 板上显示了出色的焊接接头的可靠性。
高效率和低 EMI
高性能