Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=288 A, 8针, TDSON, ISC系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 卷，共 5000 件）*

RMB68,310.00

(不含税)

RMB77,190.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2026年12月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每卷*
5000 - 20000RMB13.662RMB68,310.00
25000 +RMB13.389RMB66,945.00

* 参考价格

RS 库存编号:
233-4392
制造商零件编号:
ISC011N06LM5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

288A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TDSON

系列

ISC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.15mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

170nC

最大功耗 Pd

1.89kW

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

175°C

宽度

1.2mm

长度

6.1mm

标准/认证

No

高度

5.35mm

汽车标准

否

SuperSO8 封装中的 Infineon MOSFET 扩展了 OptiMOS 5 和 3 产品系列，除了增强的坚固性外，还可实现更高的功率密度，从而满足降低系统成本和提高性能的需求。它具有低反向恢复电荷 (Qrr) ，可显著降低过冲电压，从而提高系统可靠性，从而最大程度减少对减震器电路的需求，从而降低工程成本和工作量。

更高的工作温度额定值，可达 175°C

卓越的热性能

相关链接