Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=288 A, 8针, TDSON, ISC系列
- RS 库存编号:
- 233-4393P
- 制造商零件编号:
- ISC011N06LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB24.06 |
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| 250 - 495 | RMB23.11 |
| 500 + | RMB22.648 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-4393P
- 制造商零件编号:
- ISC011N06LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 288A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | ISC | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 170nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.89kW | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.2mm | |
| 高度 | 5.35mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 288A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 ISC | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.89kW | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.2mm | ||
高度 5.35mm | ||
长度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ISC 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 288A - ISC011N06LM5ATMA1
这款 MOSFET 是一款功率开关晶体管,专为表面贴装组件中的高电流、高功率应用而设计。它可在宽热范围内工作,适用于需要 N 通道增强装置的严苛电子系统,具有强大的漏源功能和栅极电压容差。
特性和优点:
• 60V 漏电耐受性可实现高压切换能力
• 288A 连续电流支持大负载传导
• 1.15mΩ的导通电阻(Rds(on))可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 1.89kW 功耗可实现高功率处理
• 170nC 栅极电荷可实现受控的开关动态
• 20V 栅极额定值允许宽栅极驱动空间
• 288A 连续电流支持大负载传导
• 1.15mΩ的导通电阻(Rds(on))可最大程度降低负载条件下的导通损耗
• 1.89kW 功耗可实现高功率处理
• 170nC 栅极电荷可实现受控的开关动态
• 20V 栅极额定值允许宽栅极驱动空间
应用
• 适用于高电流转换器和电源
• 与需要强大传导能力的电机驱动装置配合使用
• 适用于高功率系统中的直流-直流级
• 可用于服务器和电信电源模块
• 适用于紧凑型板上的表面贴装式功率级
• 与需要强大传导能力的电机驱动装置配合使用
• 适用于高功率系统中的直流-直流级
• 可用于服务器和电信电源模块
• 适用于紧凑型板上的表面贴装式功率级
它能在什么温度范围内稳定运行?
它的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可在极端温度环境中使用。
推荐哪种安装方式用于电路板组装?
它采用 TDSON 封装,专为 PCB 表面安装而设计。
该封装提供多少引脚用于连接?
该设备采用 8 针配置,可容纳栅极、漏极和源端接。
哪种通道类型和通道模式决定了其传导行为?
它是一款在增强模式下运行的 N 通道设备,适用于标准 MOS 切换。
设计人员应在印刷电路板上允许的物理占用面积是多少?
封装尺寸为 6.1 x 5.35 x 1.2 mm,应分配合适的焊接落地区域。
