Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 288 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, ISC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
233-4393P
制造商零件编号:
ISC011N06LM5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

288A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

ISC

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.15mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

170nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.89kW

最高工作温度

175°C

长度

6.1mm

宽度

1.2 mm

标准/认证

No

高度

5.35mm

汽车标准

SuperSO8 封装中的 Infineon MOSFET 扩展了 OptiMOS 5 和 3 产品系列,除了增强的坚固性外,还可实现更高的功率密度,从而满足降低系统成本和提高性能的需求。它具有低反向恢复电荷 (Qrr) ,可显著降低过冲电压,从而提高系统可靠性,从而最大程度减少对减震器电路的需求,从而降低工程成本和工作量。

更高的工作温度额定值,可达 175°C

卓越的热性能