Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=288 A, 8针, TDSON, ISC系列
- RS 库存编号:
- 233-4397P
- 制造商零件编号:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-4397P
- 制造商零件编号:
- ISZ034N06LM5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 288A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | ISC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 288A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 ISC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 3.4mm | ||
高度 3.4mm | ||
宽度 1.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ISC 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 288A - ISZ034N06LM5ATMA1
这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 通道增强装置,专为紧凑型电源组件中的高电流开关而设计。它可在宽环境温度范围内工作,适用于需要低传导损耗和快速栅极驱动开关的应用,同时采用小型 TDSON 封装。
特性和优点：
• 最大连续漏电流 288A,适用于大电流处理
• 低漏源电阻 3.4mΩ,可减少传导损耗
• 60V漏源额定值,适用于中等电压功率级
• 典型栅极电荷为 53nC,可实现高效的开关转换
• 最大功耗为 83W,可承受高负载条件
• 栅极源耐受电压 20V,确保稳固的栅极驱动空间
• 低漏源电阻 3.4mΩ,可减少传导损耗
• 60V漏源额定值,适用于中等电压功率级
• 典型栅极电荷为 53nC,可实现高效的开关转换
• 最大功耗为 83W,可承受高负载条件
• 栅极源耐受电压 20V,确保稳固的栅极驱动空间
应用
• 适用于高电流电机驱动级
• 与电源中的同步降压转换器配合使用
• 适用于直流配电和负载开关
• 可用于电池管理和电池平衡
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
• 与电源中的同步降压转换器配合使用
• 适用于直流配电和负载开关
• 可用于电池管理和电池平衡
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
什么可在极端温度范围内运行?
内部半导体结构和经过测试的额定值允许在 -55°C 至 175°C 温度范围内使用。
该封装如何支持热管理?
TDSON 表面贴装封装为 PCB 布局提供薄型散热路径。
开关性能需要考虑哪些栅极驱动因素?
驱动电路应容纳高达 20V 的栅极-源移动,并管理 53nC 的典型栅极电荷以满足所需的切换速度。
设计人员如何考虑高电流时的传导损耗?
使用 3.4mΩ Rds(on) 值计算 I2R 损耗并验证 PCB 铜和热通道以处理产生的热量。
指示的持续运行峰值功率是多少?
该设备的最大功耗为 83W,以满足连续热设计需求。