onsemi N型沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 68 A, TO-247, 通孔安装, 4引脚, NTH4L022N120M3S, NTH系列
- RS 库存编号:
- 233-6854
- 制造商零件编号:
- NTH4L022N120M3S
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 233-6854
- 制造商零件编号:
- NTH4L022N120M3S
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 68A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 系列 | NTH | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 151nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 325W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -0.45 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.2 mm | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 41.36mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 68A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
系列 NTH | ||
包装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 N | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 151nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 325W | ||
最大栅源电压 Vgs -0.45 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.2 mm | ||
长度 15.8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 41.36mm | ||
汽车标准 否 | ||
碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC，22 mohm，1,200 V，M3S，TO-247-4L
ON Semiconductor NTH4L022N120M3S 是 SiC 电源，单 N 通道 MOSFET。它采用 TO247-4L 封装。具有 1200 V 的漏极到源电压和 68 A 的连续漏极电流， NTH4L022N120M3S 可用于太阳能逆变器，电动车辆充电站， UPS (不间断电源) ，能量存储系统， SMPS (开关模式电源) 等应用。
此 mꭥ 的典型 RDS (接通) 为 22 m Ω ， VGS 为 18 V
该设备提供低切换损耗
它经过 100% 雪崩测试