Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 114 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC074N15NS5ATMA1, BSC系列

可享批量折扣

小计(1 卷,共 5000 件)*

¥88,600.00

(不含税)

¥100,100.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年7月02日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
每卷*
5000 - 5000RMB17.72RMB88,600.00
10000 - 10000RMB17.365RMB86,825.00
15000 +RMB17.018RMB85,090.00

* 参考价格

RS 库存编号:
234-6988
制造商零件编号:
BSC074N15NS5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

114A

最大漏源电压 Vd

150V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

BSC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.2mΩ

通道模式

N

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

10nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

46W

最高工作温度

150°C

宽度

6.1 mm

高度

1.2mm

长度

5.35mm

标准/认证

No

汽车标准

采用 SuperSO8 封装的 Infineon OptiMOS ™ N 通道 MOSFET 扩展了 OptiMOS ™ 3 和 5 产品系列,不仅提高了坚固性,还能实现更高的功率密度,从而满足降低系统成本和提高性能的需求。低反向恢复电荷 (Qrr) 可显著降低过冲电压,从而提高系统可靠性,从而最大程度减少对减震器电路的需求,从而降低工程成本和工作量。它具有 114A 的最大连续漏极电流和 150V 的最大漏极源电压。它特别适用于高频切换和同步整流。

最低 RDS (接通) 可实现最高功率密度和效率

更高的工作温度额定值,可达 175°C ,提高可靠性

低 RthJC ,用于出色的 热行为

降低反向施救电荷 (Qrr)

极低接通电阻 RDS (接通)

极低反向恢复电荷 (Qrr)

无铅引线电镀

符合 RoHS