Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=114 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, BSC系列
- RS 库存编号:
- 234-6988
- 制造商零件编号:
- BSC074N15NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计(1 卷,共 5000 件)*
RMB96,065.00
(不含税)
RMB108,555.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年10月06日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | RMB19.213 | RMB96,065.00 |
| 10000 - 10000 | RMB18.829 | RMB94,145.00 |
| 15000 + | RMB18.452 | RMB92,260.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-6988
- 制造商零件编号:
- BSC074N15NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 114A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 系列 | BSC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.2mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 46W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 10nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 114A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
系列 BSC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.2mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 46W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 10nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 6.1mm | ||
长度 5.35mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon BSC系列MOSFET,150V漏源电压,114A连续漏电流 - BSC074N15NS5ATMA1
这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为需要低传导损耗和高连续电流的表面贴装电源应用而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要强大的栅极驱动余量和高功耗能力的电路。
特性和优点:
• 150V 漏电额定值支持高压开关应用
• 9.2mΩ RDS(on)可减少传导损耗,实现高效运行
• 114 A 连续电流能力支持高负载系统
• 46W 功耗可实现持久热负载
• 10 nC 典型栅极电荷,可最大限度减少开关能量损耗
• VGS 容差高达 20 V,可实现灵活的栅极驱动级别
• 9.2mΩ RDS(on)可减少传导损耗,实现高效运行
• 114 A 连续电流能力支持高负载系统
• 46W 功耗可实现持久热负载
• 10 nC 典型栅极电荷,可最大限度减少开关能量损耗
• VGS 容差高达 20 V,可实现灵活的栅极驱动级别
应用
• 适用于处理大电流的直流-直流转换器
• 适用于电源的同步整流
• 与需要高连续电流的电机控制器配合使用
• 可用于电信配电模块
• 适用于高压环境中的工业开关
• 适用于电源的同步整流
• 与需要高连续电流的电机控制器配合使用
• 可用于电信配电模块
• 适用于高压环境中的工业开关
它的工作环境温度范围是多少?
它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C。
电路组装需要哪种安装方式?
它适用于表面安装,采用 SuperSO8 5x6 封装。
该设备在 PCB 布局中提供多少引脚?
该封装使用八个引脚进行电气和热连接。
传导过程中的正向电压是多少?
在指定条件下,正向电压为 1.2 V。
设计人员应允许的物理足迹和外形?
该设备长度为 5.35 mm,宽度为 6.1 mm,高度为 1.2 mm。
相关链接
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 114 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC074N15NS5ATMA1, BSC系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC026N08NS5ATMA1, BSC0系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC050N10NS5ATMA1, BSC系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=30 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC027N10NS5ATMA1, BSC0系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=40 V, 381 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC021N08NS5ATMA1, BSC0系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 49 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, BSC117N08NS5ATMA1, OptiMOS 5系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 87 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, BSC093N15NS5ATMA1, OptiMOS 5系列
- Infineon N沟道 N型 MOSFET, Vds=150 V, 56 A, SuperSO, 表面安装, 8引脚, BSC160N15NS5ATMA1, OptiMOS 5系列
