Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 40 A, tsdson -8 fl, 表面安装, 8引脚, BSZ0803LSATMA1, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 234-6991
- 制造商零件编号:
- BSZ0803LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB11.586 | RMB57.93 |
| 10 - 95 | RMB11.358 | RMB56.79 |
| 100 - 245 | RMB11.124 | RMB55.62 |
| 250 - 495 | RMB10.918 | RMB54.59 |
| 500 + | RMB10.686 | RMB53.43 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-6991
- 制造商零件编号:
- BSZ0803LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | BSZ | |
| 包装类型 | tsdson -8 fl | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20.8mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 长度 | 5.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 6.1 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 BSZ | ||
包装类型 tsdson -8 fl | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 20.8mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.6nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.2mm | ||
长度 5.35mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 6.1 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ PD N 通道功率 MOSFET 主要用于 USB-PD 和适配器应用。该产品提供快速上升和优化的交付周期。用于功率输送的 OptiMOS ™低电压 MOSFET 使设计的部件更少，从而降低 BOM 成本，并在紧凑轻巧的封装中提供优质产品。它具有 40A 的最大连续漏极电流和 100V 的最大漏极源电压。 它特别适用于高频切换，并针对充电器进行了优化。
逻辑级别可用性
低通态电阻 RDS (接通)
低栅极，输出和反向恢复电荷
极佳的热行为
通过 100% 雪崩测试
无铅引线电镀
无卤符合 IEC61249-2-21
符合 RoHS
提供 2 种小型标准封装