Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 98 A, TDSON-8 FL, 表面安装, 8引脚, ISC036N04NM5ATMA1, ISC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
234-7002P
制造商零件编号:
ISC036N04NM5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

98A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

ISC

包装类型

TDSON-8 FL

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最大功耗 Pd

63W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

3.8mm

宽度

1.1 mm

高度

4.4mm

汽车标准

Infineon OptiMOS 5 功率晶体管 N 沟道 MOSFET 具有 40V 漏极源击穿电压和 98A 连续漏极电流。此产品为需要正常电平 (更高阈值电压) 驱动能力的应用提供基准解决方案。正常电平产品组合中的高 Vth 可抗由于嘈杂环境导致的错误开启。此外,较低的 QGD/QGS 比率降低了栅极电压峰值的 Peak ,进一步提高了抗意外开启的稳定性。

电池供电应用

LV 电动机驱动器

极低接通电阻 RDS (接通)

通过 100% 雪崩测试

175°C 接点温度

出色的耐热性能

低栅极电荷

减少切换损耗

适用于在更高频率下工作

N 通道

无铅引线电镀

符合 RoHS

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准