Renesas Electronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1500 V, Id=4 A, 3针, TO-3PN
- RS 库存编号:
- 234-7062
- 制造商零件编号:
- 2SK1835-E
- 制造商:
- Renesas Electronics
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- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1500V | |
| 包装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.6Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 20.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 4A | ||
最大漏源电压 Vd 1500V | ||
包装类型 TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.6Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.9mm | ||
高度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 20.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics 硅 N 通道 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 1500 V 的高击穿电压它还适用于开关调节器。
低接通电阻
高速切换
高坚固性
低驱动电流
无二次故障
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