Renesas Electronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 50 A, WPAK, 表面安装, 8引脚, RJK0391DPA-00#J5A, BEAM系列

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制造商零件编号:
RJK0391DPA-00#J5A
制造商:
Renesas Electronics
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品牌

Renesas Electronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

50A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

WPAK

系列

BEAM

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0029Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

50W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

0.85mm

长度

6.1mm

宽度

5.9 mm

标准/认证

Pb-Free, Halogen-Free

汽车标准

Renesas Electronics N 沟道单功率 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 30 V 的高击穿电压它能够提供 4.5 V 栅极驱动。

高速切换

低驱动电流

高密度安装

低接通电阻

无铅

无卤