Renesas Electronics N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 25 A, SOT-669, 表面安装, 4引脚, RJK0651DPB-00#J5
- RS 库存编号:
- 234-7155
- 制造商零件编号:
- RJK0651DPB-00#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | RMB7.376 | RMB36.88 |
| 100 - 245 | RMB7.192 | RMB35.96 |
| 250 - 995 | RMB7.01 | RMB35.05 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-7155
- 制造商零件编号:
- RJK0651DPB-00#J5
- 制造商:
- Renesas Electronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Renesas Electronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-669 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 14mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Renesas Electronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-669 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 14mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Renesas Electronics N 沟道单功率 MOSFET 适用于开关和负载开关应用。它具有 60 V 的高击穿电压它能够提供 4.5 V 栅极驱动。
高速切换
低驱动电流
高密度安装
低接通电阻
无铅
无卤