STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=180 A, 3针, H2PAK-2, STH200系列
- RS 库存编号:
- 234-8895
- 制造商零件编号:
- STH200N10WF7-2
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- 234-8895
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- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 180A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 系列 | STH200 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 93nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 340W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 180A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
系列 STH200 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 93nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 340W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
STMicroelectronics N 沟道功率场效应管 (MOSFET) 运用带增强型沟槽栅极结构的 STripFET F7 技术 ，可增强线性模式耐受能力和提供更宽的 SOA 性能，并且具有超低导通电阻的特点。因此，这款功率场效应管可确保线性模式和切换操作之间最佳平衡。
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超低导通电阻
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