STMicroelectronics N型沟道 MOSFET, Vds=600 V, 29 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, STHU36N60DM6AG, STHU36N系列
- RS 库存编号:
- 234-8897
- 制造商零件编号:
- STHU36N60DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 600 - 600 | RMB33.011 | RMB19,806.60 |
| 1200 - 1200 | RMB32.351 | RMB19,410.60 |
| 1800 + | RMB31.38 | RMB18,828.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-8897
- 制造商零件编号:
- STHU36N60DM6AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 29A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | STHU36N | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 99mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 25 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 最大功耗 Pd | 210W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 29A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 STHU36N | ||
包装类型 HU3PAK | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 99mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 25 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
最大功耗 Pd 210W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics 高电压 N 沟槽功率场效应管 (MOSFET) 属于 MDmesh DM6 快速恢复二极管系列。与上一代 MDmesh 快速恢复二极管相比，DM6 具有非常低的恢复电荷 (Qrr)、恢复时间 (trr) 并在每个区域的 RDS(导通) 上获得卓越提升，同时还兼具市场上最严苛高效桥接拓扑结构和 ZVS 相移转换器的最有效切换方式。
符合 AEC-Q101 标准
快速恢复体二极管
与之前一代相比，每个区域 RDS(导通) 较低
低栅极电荷、低输入电容和电阻
100% 通过雪崩测试