Infineon 隔离式 N型沟道 MOSFET, Vds=1200 V, 25 A, ag- EASY2B, 2引脚, F445MR12W1M1B76BPSA1, F4系列
- RS 库存编号:
- 234-8968
- 制造商零件编号:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥927.86
(不含税)
¥1,048.48
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB927.86 |
| 5 - 9 | RMB909.36 |
| 10 - 14 | RMB891.15 |
| 15 - 19 | RMB873.34 |
| 20 + | RMB855.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 234-8968
- 制造商零件编号:
- F445MR12W1M1B76BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 25A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | ag- EASY2B | |
| 系列 | F4 | |
| 引脚数目 | 2 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.062 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 15 V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 5.65V | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 宽度 | 33.8 mm | |
| 长度 | 62.8mm | |
| 标准/认证 | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 25A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 ag- EASY2B | ||
系列 F4 | ||
引脚数目 2 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.062 | ||
最大栅源电压 Vgs 15 V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 5.65V | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 16.4mm | ||
宽度 33.8 mm | ||
长度 62.8mm | ||
标准/认证 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块 FET 类型为 4 个 N 通道（半桥），可在 1200V 漏源电压和 75A 连续漏极电流下工作。
底盘安装
-40°C 至 150°C 工作温度