Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 44 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, BSC0803LSATMA1, BSC系列

可享批量折扣

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

¥90.60

(不含税)

¥102.40

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 3,745 个,准备发货
单位
每单位
10 - 95RMB9.06
100 - 245RMB8.874
250 - 495RMB8.704
500 +RMB8.534

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
235-0604P
制造商零件编号:
BSC0803LSATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

44A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SuperSO8 5 x 6

系列

BSC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

14.6mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

7.6nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

52W

正向电压 Vf

1.1V

最高工作温度

150°C

高度

1.1mm

标准/认证

No

长度

5.49mm

宽度

6.35 mm

汽车标准

Infineon OptiMOSTM5 功率晶体管工作电压为 100V,漏极电流为 4A。Infineon OptiMOSTM5 产品线专为 USB-PD 和适配器应用而设计。本产品的配置快捷,能够缩短准备时间。用于输电的 OptiMOSTM 低电压 MOSFET 有助于减少设计中的零部件数量,从而降低 BOM 成本。OptiMOS™ PD 以紧凑、轻便封装的优质产品而著称。

针对高性能 SMPS 进行优化

100% 通过雪崩测试

卓越的热阻

N 通道,逻辑电平

无铅镀层;符合 RoHS 标准

无卤素,符合 IEC61249-2-21 标准