ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=3 A, 8针, TSMT-8, QH8KC5系列
- RS 库存编号:
- 235-2667
- 制造商零件编号:
- QH8KC5TCR
- 制造商:
- ROHM
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- QH8KC5TCR
- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TSMT-8 | |
| 系列 | QH8KC5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 90mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 高度 | 2.9mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TSMT-8 | ||
系列 QH8KC5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 90mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.1nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 0.85mm | ||
高度 2.9mm | ||
长度 3.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
ROHM 双 N 通道 MOSFET ，可支持 60V 耐受电压。它设计用于 24V 输入设备，如工厂自动化设备和安装在基站上的电动机。此产品包含低接通电阻 N 沟道 MOSFET ，降低 58%。这有助于降低各种设备的功耗。
小型表面安装封装
无铅引线电镀
符合 RoHS
无卤素
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