Infineon P型沟道 N型 MOSFET, Vds=100 V, 13.8 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB19DP10NMATMA1, iPB系列
- RS 库存编号:
- 235-4844
- 制造商零件编号:
- IPB19DP10NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 235-4844
- 制造商零件编号:
- IPB19DP10NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 13.8A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET D²PAK 100 V 封装，是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平，并且由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。
特别适用于高和低切换频率
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固，可靠的性能
加强供应安全