Infineon P沟道MOSFET管, Vds=100 V, 62 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚

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RS 库存编号:
235-4848
制造商零件编号:
IPB330P10NMATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

P

最大连续漏极电流

62 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

贴片

引脚数目

3

每片芯片元件数目

1

Infineon OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET D²PAK 100 V 封装,是专为电池管理,负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中,低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ,快速切换以及雪崩坚固性,使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平,并且由于 Qg 低,可提高低负载时的效率。它可用于电池管理,工业自动化。

特别适用于高和低切换频率
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固,可靠的性能
加强供应安全

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