Infineon P沟道MOSFET管, Vds=100 V, 62 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 235-4848
- 制造商零件编号:
- IPB330P10NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4848
- 制造商零件编号:
- IPB330P10NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 62 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 62 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
Infineon OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET D²PAK 100 V 封装,是专为电池管理,负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中,低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ,快速切换以及雪崩坚固性,使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平,并且由于 Qg 低,可提高低负载时的效率。它可用于电池管理,工业自动化。
特别适用于高和低切换频率
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固,可靠的性能
加强供应安全
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固,可靠的性能
加强供应安全
