制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=13.7 A, 3针, TO-252, IPD系列

RS 库存编号:: 235-4857
制造商零件编号:: IPD19DP10NMATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=13.7 A, 3针, TO-252, IPD系列

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5 - 5	RMB11.496	RMB57.48
10 - 95	RMB11.272	RMB56.36
100 - 245	RMB11.052	RMB55.26
250 - 495	RMB10.828	RMB54.14
500 +	RMB10.604	RMB53.02

* 参考价格

RS 库存编号:: 235-4857
制造商零件编号:: IPD19DP10NMATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	13.7A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	TO-252
	系列	IPD
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	186mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	83W
	正向电压 Vf	-1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	-36nC
	最高工作温度	175°C
	高度	2.41mm
	长度	6.73mm
	标准/认证	No
	宽度	6.22mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 13.7A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 TO-252
	系列 IPD
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 186mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 83W
	正向电压 Vf -1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs -36nC
	最高工作温度 175°C
	高度 2.41mm
	长度 6.73mm
	标准/认证 No
	宽度 6.22mm
	汽车标准否

Datasheet - IPD19DP10NMATMA1

Infineon OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100V 采用 DPAK 封装，是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平，并且由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。

提供 4 种不同的封装

正常级别和逻辑级别可用性

特别适用于高和低切换频率

易于连接到 MCU

低设计复杂性

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=13.7 A, 3针, TO-252, IPD系列

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