Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 13.7 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD19DP10NMATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 235-4857
- 制造商零件编号:
- IPD19DP10NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥55.88
(不含税)
¥63.145
(含税)
有库存
- 另外 2,480 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB11.176 | RMB55.88 |
| 10 - 95 | RMB10.958 | RMB54.79 |
| 100 - 245 | RMB10.744 | RMB53.72 |
| 250 - 495 | RMB10.526 | RMB52.63 |
| 500 + | RMB10.308 | RMB51.54 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4857
- 制造商零件编号:
- IPD19DP10NMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 13.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 186mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | -36nC | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 13.7A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 186mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs -36nC | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.41mm | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100V 采用 DPAK 封装，是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平，并且由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。
提供 4 种不同的封装
范围广泛
正常级别和逻辑级别可用性
特别适用于高和低切换频率
易于连接到 MCU
低设计复杂性