Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 9 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD42DP15LMATMA1, IPD系列
- RS 库存编号:
- 235-4859P
- 制造商零件编号:
- IPD42DP15LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥138.30
(不含税)
¥156.30
(含税)
有库存
- 另外 2,316 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB13.83 |
| 100 - 248 | RMB13.555 |
| 250 - 498 | RMB13.275 |
| 500 + | RMB13.035 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4859P
- 制造商零件编号:
- IPD42DP15LMATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | IPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 420mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | -43nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 IPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 420mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs -43nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.41mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 150V 采用 DPAK 封装，是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功耗应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的逻辑电平，并由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。
特别适用于高和低切换频率
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固，可靠的性能
加强供应安全