Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 230 A, SuperSO8 5 x 6, 表面安装, 8引脚, ISC022N10NM6ATMA1, ISC系列
- RS 库存编号:
- 235-4863P
- 制造商零件编号:
- ISC022N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB25.48 |
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| 500 + | RMB23.94 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4863P
- 制造商零件编号:
- ISC022N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | ISC | |
| 包装类型 | SuperSO8 5 x 6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.24mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 91nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 230A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 ISC | ||
包装类型 SuperSO8 5 x 6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.24mΩ | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 91nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.1mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 5.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
OptiMOSTM 6 功率 MOSFET 100 V 正常电平,采用 SuperSO8 封装
ISC022N10NM6 OptiMOSTM 6 100 V 正常电平设置了分立功率 MOSFET 领域的新技术标准。与替代产品相比,Infineon 领先的薄片技术可实现显著的性能优势。
Infineon 的 OptiMOSTM 6 工业功率 MOSFET 100 V 设计用于高切换频率应用,如电信和服务器电源,也是其他应用的理想选择,如太阳能、电动工具和无人机。
在 SuperSO8 封装中,与之前的 OptiMOSTM 5 技术相比,它实现了接通状态电阻(RDS(on))的 ∼20% 改进和 30% 更好的优势数字(FOM - RDS(on) x Qg 和 Qgd)。 这使设计人员能够提高效率,使热设计更容易,并行性更少,从而降低系统成本。
功能摘要
与 OptiMOSTM 5 相比,新技术可实现:
• RDS(接通)低 ∼20%
• 30% 改进的 FOMg 和 40% 更好的 FOMgd
• 更低和更柔软的反向恢复电荷 (Qrr)
• 特别适用于高切换频率
• MSL 1 分类,符合 J-STD-020
• 175 °C 接点额定温度
• 高浪涌能量额定值
• 无铅引线镀层
• 符合 RoHS 标准
福利
• 低导电损耗
• 低切换损耗
• 快速打开和关闭
• 需要较少的并行
• 坚固可靠的性能
• 环保
• 需要较少的并行