Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=230 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, ISC系列

RS 库存编号:: 235-4863P
制造商零件编号:: ISC022N10NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=230 A, 8针, SuperSO8 5 x 6, ISC系列

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RS 库存编号:: 235-4863P
制造商零件编号:: ISC022N10NM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	230A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SuperSO8 5 x 6
	系列	ISC
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	2.24mΩ
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	245W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	91nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	高度	5.1mm
	宽度	1.1mm
	长度	6.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 230A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SuperSO8 5 x 6
	系列 ISC
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 2.24mΩ
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 245W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 91nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	高度 5.1mm
	宽度 1.1mm
	长度 6.1mm
	汽车标准否

Datasheet - ISC022N10NM6ATMA1

Infineon ISC系列MOSFET,100V最大漏源电压,230A最大连续漏电流 - ISC022N10NM6ATMA1

这款 MOSFET 是一款紧凑型 N 通道半导体设备,专为表面贴装组件中的高电流开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要强大的漏电压能力和强大的连续漏电流的电源应用。

特性和优点：

• 100V漏源额定值支持高压开关应用
• 230 A 连续漏电流支持大电流负载
• 2.24 mΩ 低 RDS(on) 可减少运行过程中的传导损耗
• 最大功耗为245W,可实现持久功率处理
• 91 nC 典型栅极电荷,便于高效切换转换
• 20V 栅极-源极限确保与常见驱动电压兼容

应用

• 适用于工业系统中的高功率DC-DC转换器
• 适用于服务器和电信配电模块
• 与需要高连续电流的电机控制器配合使用
• 可用于大电流系统中的电池管理
• 适用于逆变器和焊接控制中的功率级

它能在什么温度范围内稳定运行？

其工作温度范围为-55°C至175°C,适用于各种热环境。

表面安装采用哪种封装类型?

它采用 8 针 SuperSO8 5 x 6 mm 表面贴装封装,适用于紧凑型 PCB 布局。

传导过程中的正向电压特性是什么?

该设备在指定的传导条件下具有 1 V 的正向电压。

用于 PCB 占地面积设计的引脚数量有多少?

该封装采用 8 针配置,可容纳栅极、漏极和源极连接。

它在切换时使用什么通道极性?

它采用 N 型通道,适用于低侧和高侧开关拓扑。