Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=192 A, 8针, TDSON, ISC系列

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包装方式：
RS 库存编号:
235-4865
制造商零件编号:
ISC027N10NM6ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

192A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TDSON

系列

ISC

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.24mΩ

最大功耗 Pd

245W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

91nC

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

5.1mm

长度

6.1mm

标准/认证

No

宽度

1.1mm

汽车标准

否

Infineon ISC系列MOSFET,100V最大漏源电压,245W最大功耗 - ISC027N10NM6ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流开关晶体管,专为功率转换和电机驱动环境设计,可在宽温度范围内提供稳健运行,并具有适合紧凑型组件的表面贴装封口。它提供低传导损耗和大量电流处理,适用于电压阻断和栅极控制至关重要的严苛应用。

特性和优点：


• 100V 漏电额定值支持高压切换能力
• 192 A 连续漏电流支持重载运行
• 2.24 mΩ Rds(on),可最大限度减少传导损耗,提高效率
• 245W 功耗,可实现持久功率处理
• 91 nC 典型栅极电荷平衡驱动要求和开关速度
• 20 V 栅极-源额定值允许宽栅极驱动空间

应用


• 适用于电机驱动的 100 V、192 A 功率 MOSFET
• 适用于紧凑型系统中的高电流直流-直流转换器
• 与电池管理和牵引逆变器级配合使用
• 可用于需要低 Rds(on) MOSFET 的功率级,功耗为 245 W
• 适用于 -55°C 至 175°C 的高温 MOSFET 环境

这款组件使用哪种安装方式?


它采用 8 针 TDSON 表面贴装封装,专为板级组装而设计。

这款设备在运行过程中可承受哪些极端温度?


工作温度范围为 -55°C 至 175°C,可在高温条件下使用。

传导过程中的正向电压特性是什么?


在传导条件下,正向电压 Vf 指定为 1 V。

为了考虑PCB布局,这款封装有多少引脚?


该设备采用 8 针配置,用于热和电气端接。

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