Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 192 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, ISC027N10NM6ATMA1, ISC系列
- RS Stock No.:
- 235-4865
- Mfr. Part No.:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB31.35 | RMB62.70 |
| 10 - 98 | RMB30.735 | RMB61.47 |
| 100 - 248 | RMB30.125 | RMB60.25 |
| 250 - 498 | RMB29.505 | RMB59.01 |
| 500 + | RMB28.895 | RMB57.79 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 235-4865
- Mfr. Part No.:
- ISC027N10NM6ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 192A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | ISC | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.24mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 91nC | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 192A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 ISC | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.24mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 91nC | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 5.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ 6 工业功率 MOSFET 100V 设计用于电信和服务器电源等高切换频率应用，也是太阳能，电动工具和无人机等其他应用的理想选择。与替代产品相比， Infineon 领先的薄芯片技术实现了显著的性能优势。
降低和降低反向施救电荷
特别适用于高切换频率
高雪崩能量额定值
符合 RoHS
低传导损耗
低切换损耗
环保型