Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 192 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, ISC027N10NM6ATMA1, ISC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
235-4865P
制造商零件编号:
ISC027N10NM6ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

192A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

ISC

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

2.24mΩ

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

91nC

最大功耗 Pd

245W

最高工作温度

175°C

宽度

1.1 mm

长度

6.1mm

高度

5.1mm

标准/认证

No

汽车标准

Infineon OptiMOS ™ 6 工业功率 MOSFET 100V 设计用于电信和服务器电源等高切换频率应用,也是太阳能,电动工具和无人机等其他应用的理想选择。与替代产品相比, Infineon 领先的薄芯片技术实现了显著的性能优势。

降低和降低反向施救电荷

特别适用于高切换频率

高雪崩能量额定值

符合 RoHS

低传导损耗

低切换损耗

环保型