Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 179 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, ISC030N10NM6ATMA1, ISC系列
- RS 库存编号:
- 235-4866
- 制造商零件编号:
- ISC030N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计(1 卷,共 5000 件)*
¥66,270.00
(不含税)
¥74,885.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月12日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 - 20000 | RMB13.254 | RMB66,270.00 |
| 25000 + | RMB12.989 | RMB64,945.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4866
- 制造商零件编号:
- ISC030N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 179A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | ISC | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.8mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最大功耗 Pd | 75W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.1 mm | |
| 高度 | 4.4mm | |
| 长度 | 3.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 179A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 ISC | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.8mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
最大功耗 Pd 75W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.1 mm | ||
高度 4.4mm | ||
长度 3.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ 6 工业功率 MOSFET 100V 设计用于电信和服务器电源等高切换频率应用,也是太阳能,电动工具和无人机等其他应用的理想选择。与替代产品相比, Infineon 领先的薄芯片技术实现了显著的性能优势。
降低和降低反向施救电荷
特别适用于高切换频率
高雪崩能量额定值
符合 RoHS
低传导损耗
低切换损耗
环保型
