Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=97 A, 8针, TDSON, ISC系列
- RS 库存编号:
- 235-4869P
- 制造商零件编号:
- ISC060N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 98 | RMB19.43 |
| 100 - 248 | RMB19.025 |
| 250 - 498 | RMB18.67 |
| 500 + | RMB18.265 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4869P
- 制造商零件编号:
- ISC060N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 97A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | ISC | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 5.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 97A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 ISC | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 6mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 6.1mm | ||
高度 5.35mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.2mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon ISC 系列 MOSFET,100V 最大漏源电压,97A 最大连续漏电流 - ISC060N10NM6ATMA1
这款 MOSFET 是一款表面贴装 N 通道晶体管,专为严苛环境中的高电流开关和功率转换任务而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要高漏电流和高电压能力的应用,同时采用紧凑封装。
特性和优点：
• 100V最大漏极电压支持高压开关
• 97A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 6mΩ 最大 Rds(on),可最大限度减少传导损耗
• 125W 最大功耗,可实现持久的功率处理
• 33nC 典型栅极电荷可实现可预测的栅极驱动尺寸
• 最大 20V 栅极-源额定值可防止过驱动事件
• 97A 持续漏极电流，支持大电流负载
• 6mΩ 最大 Rds(on),可最大限度减少传导损耗
• 125W 最大功耗,可实现持久的功率处理
• 33nC 典型栅极电荷可实现可预测的栅极驱动尺寸
• 最大 20V 栅极-源额定值可防止过驱动事件
应用
• 适用于工业系统中的高电流电源转换器
• 适用于开关电源中的同步整流
• 与需要强大电流容量的电机驱动器配合使用
• 可用于电池管理和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
• 适用于开关电源中的同步整流
• 与需要强大电流容量的电机驱动器配合使用
• 可用于电池管理和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
它在运行过程中能承受的环境温度是多少?
其工作温度范围为-55°C至175°C。
封装对PCB组装和热布线有何影响?
TDSON 表面贴装封装配有八个引脚,便于自动放置和热连接到PCB铜材,以实现散热。
其栅极充电带来了哪些栅极驱动因素?
由于典型栅极电荷为 33nC,设计人员应调整驱动电流以实现所需的开关速度,同时管理开关损耗。
为防止设备损坏，必须遵守哪些电气限制？
该设备不得暴露在高于 20V 的栅极-源差和高于 100V 的漏极-源电压下。
其通道类型对开关行为有何影响?
作为 N 通道设备,它提供低导通电阻,适用于需要低传导损耗的高侧或低侧开关。