Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=75 A, 8针, TDSON, ISC系列

RS 库存编号:: 235-4871P
制造商零件编号:: ISC080N10NM6ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=75 A, 8针, TDSON, ISC系列

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单位	每单位
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250 - 495	RMB10.908
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* 参考价格

RS 库存编号:: 235-4871P
制造商零件编号:: ISC080N10NM6ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	75A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	ISC
	包装类型	TDSON
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	8.05mΩ
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	24nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	100W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	宽度	1.2mm
	长度	6.1mm
	高度	5.35mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 75A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 ISC
	包装类型 TDSON
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 8.05mΩ
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 100W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	宽度 1.2mm
	长度 6.1mm
	高度 5.35mm
	汽车标准否

Datasheet - ISC080N10NM6ATMA1

Infineon ISC系列MOSFET,100V最大漏源电压,75A最大连续漏电流 - ISC080N10NM6ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 通道晶体管,专为紧凑型表面贴装组件中的电源开关而设计。它能在宽温度范围内运行,适用于需要在板载式电源级别中具有较高的漏电流能力和耐热性能的应用。

特性和优点：

• 100V 漏电额定值可为功率级提供强大的电压容量
• 75A 连续漏电流支持高负载开关需求
• 100W 功耗可在负载下实现持久的热处理
• 8.05mΩ Rds(on),可最大限度减少传导损耗,从而提高效率
• 24nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能
• 20V 最大栅极-源电压提供栅极保护空间

应用

• 适用于DCDC转换器输出级应用
• 适用于高电流同步整流任务
• 用于紧凑型逆变器中的电机驱动半桥
• 可用于板载配电开关
• 适用于开关模式电源的初级或次级级别

它能承受的工作温度范围是多少?

其工作温度范围为-55°C至175°C,可在热要求严苛的环境中使用。

我应该考虑哪种封装和安装方式?

它采用 TDSON 封装,适用于 PCB 接地上的表面贴装组装。

物理足迹有哪些限制?

该封装长度为 6.1mm,宽度为 1.2mm,高度为 5.35mm,适用于布局规划。

栅极驱动要求对开关设计有何影响?

典型总栅极电荷为 24nC,定义了驱动器实现所需开关速度所需的电荷传输。