制造商编号

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=3.9 A, 3针, SOT-223, ISP系列

RS 库存编号:: 235-4877
制造商零件编号:: ISP16DP10LMXTSA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=3.9 A, 3针, SOT-223, ISP系列

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10 - 95	RMB5.972	RMB29.86
100 - 245	RMB5.848	RMB29.24
250 - 495	RMB5.732	RMB28.66
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RS 库存编号:: 235-4877
制造商零件编号:: ISP16DP10LMXTSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	3.9A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	SOT-223
	系列	ISP
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.38Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	5W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	11.6nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	宽度	1.2mm
	标准/认证	No
	长度	6.1mm
	高度	5.35mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 3.9A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 SOT-223
	系列 ISP
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.38Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 5W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.6nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	宽度 1.2mm
	标准/认证 No
	长度 6.1mm
	高度 5.35mm
	汽车标准否

Datasheet - ISP16DP10LMXTSA1

采用 SOT-223 封装的 Infineon OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V 是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平，并且由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。

特别适用于高和低切换频率

可耐受雪崩

工业标准印迹表面安装封装

坚固，可靠的性能

加强供应安全

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=3.9 A, 3针, SOT-223, ISP系列

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