Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 3.9 A, SOT-223, 表面安装, 3引脚, ISP16DP10LMXTSA1, ISP系列
- RS 库存编号:
- 235-4877P
- 制造商零件编号:
- ISP16DP10LMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 95 | RMB5.676 |
| 100 - 245 | RMB5.558 |
| 250 - 495 | RMB5.448 |
| 500 + | RMB5.346 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4877P
- 制造商零件编号:
- ISP16DP10LMXTSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | ISP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.38Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11.6nC | |
| 最大功耗 Pd | 5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 1.2 mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 5.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.9A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 ISP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.38Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11.6nC | ||
最大功耗 Pd 5W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 1.2 mm | ||
长度 6.1mm | ||
高度 5.35mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
采用 SOT-223 封装的 Infineon OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V 是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平，并且由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。
特别适用于高和低切换频率
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固，可靠的性能
加强供应安全