Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 75 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, ISZ080N10NM6ATMA1, ISZ080N10系列
- RS 库存编号:
- 235-4883
- 制造商零件编号:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB10.898 | RMB54.49 |
| 10 - 95 | RMB10.682 | RMB53.41 |
| 100 - 245 | RMB10.462 | RMB52.31 |
| 250 - 495 | RMB10.262 | RMB51.31 |
| 500 + | RMB10.046 | RMB50.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 235-4883
- 制造商零件编号:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | ISZ080N10 | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.04mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 24nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 100W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 3.4mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 ISZ080N10 | ||
包装类型 TSDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.04mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 24nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 100W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 3.4mm | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS ™ 6 工业功率 MOSFET 100V 设计用于电信和服务器电源等高切换频率应用，也是太阳能，电动工具和无人机等其他应用的理想选择。与替代产品相比， Infineon 领先的薄芯片技术实现了显著的性能优势。
降低和降低反向施救电荷
特别适用于高切换频率
高雪崩能量额定值
符合 RoHS
低传导损耗
低切换损耗
环保型