Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=60 V, 454 A, HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT008N06NM5LFATMA1, IPT系列
- RS 库存编号:
- 236-1585
- 制造商零件编号:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB51.30 |
| 10 - 99 | RMB50.27 |
| 100 - 249 | RMB49.24 |
| 250 - 499 | RMB48.32 |
| 500 + | RMB47.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-1585
- 制造商零件编号:
- IPT008N06NM5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 454A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.8mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 185nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 454A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.8mΩ | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 185nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 2.4mm | ||
宽度 10.58 mm | ||
长度 10.1mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 线性 FET , 60 V MOSFET。该产品完全符合 JEDEC 标准,适用于工业应用。
特别适用于热插拔和电熔丝应用
极低接通电阻 RDS (接通)
宽安全工作区域 SOA
N 通道,正常电平
通过 100% 雪崩测试
无铅镀层,无卤
