Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=454 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

RS 库存编号:: 236-1585P
制造商零件编号:: IPT008N06NM5LFATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=60 V, Id=454 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

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单位	每单位
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RS 库存编号:: 236-1585P
制造商零件编号:: IPT008N06NM5LFATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	454A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	HSOF-8
	系列	IPT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.8mΩ
	最大功耗 Pd	278W
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	185nC
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	10.1mm
	标准/认证	No
	高度	2.4mm
	宽度	10.58mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 454A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 HSOF-8
	系列 IPT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.8mΩ
	最大功耗 Pd 278W
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 185nC
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 10.1mm
	标准/认证 No
	高度 2.4mm
	宽度 10.58mm
	汽车标准否

Datasheet - IPT008N06NM5LFATMA1

Infineon IPT 系列 MOSFET,最大漏源电压 60V,最大连续漏电流 454A - IPT008N06NM5LFATMA1

这款 MOSFET 是一款专为表面贴装电源应用设计的高电流开关晶体管,可为严苛电路提供强大的耐热性能和强大的电流能力。它可在宽环境范围内运行,适用于在紧凑封装中需要低传导损耗和大功率处理的系统。

特性和优点：

• 60 V 最大漏电压提供高电压切换能力
• 454 A 连续漏电流支持大电流负载
• 最大 0.8 mΩ RDS(on) 可减少电源路径中的传导损耗
• 最大功耗为278W,可实现持久的高功率运行
• 185 nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关控制
• ±20 V 栅极-源额定值允许宽栅极驱动空间

应用

• 适用于高电流电机驱动级
• 可用于直流-直流转换器输出开关
• 适用于服务器电源中的配电
• 与电池管理模块配合使用,可处理大电流
• 适用于工业逆变器开关级

在恶劣环境中可预期的耐热性能是多少?

其额定工作温度范围为-55°C至150°C,可在宽温度条件下使用。

封装对安装和布局有何影响?

HSOF-8表面贴装封装便于紧凑型PCB放置和低电感连接,适用于电源跟踪。

在开关应用中需要考虑哪些栅极驱动因素？

设计栅极驱动器为 185 nC 栅极提供足够的电荷,以实现所需的开关速度,同时遵守 ±20 V 栅极-源极限。

设计人员应如何在高负载情况下管理功耗?

确保PCB铜面积和热通道的尺寸可承受278W的耗散,并将接线温度保持在限值范围内。

在连续运行过程中可预期的传导性能是多少?

由于最大漏源电阻为 0.8 mΩ,预期接通状态电压降低,从而在连续高电流条件下提高效率。