Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=333 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

RS 库存编号:: 236-1587
制造商零件编号:: IPT013N08NM5LFATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=80 V, Id=333 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

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RS 库存编号:: 236-1587
制造商零件编号:: IPT013N08NM5LFATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	333A
	最大漏源电压 Vd	80V
	系列	IPT
	包装类型	HSOF-8
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.3mΩ
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	158nC
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	278W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	高度	2.4mm
	长度	10.1mm
	宽度	10.58mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 333A
	最大漏源电压 Vd 80V
	系列 IPT
	包装类型 HSOF-8
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 158nC
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 278W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	高度 2.4mm
	长度 10.1mm
	宽度 10.58mm
	汽车标准否

Datasheet - IPT013N08NM5LFATMA1

Infineon IPT 系列 MOSFET,80V 最大漏源电压,333A 最大连续漏电流 - IPT013N08NM5LFATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道型晶体管,专为要求严苛的热环境中的表面贴装式电源开关而设计。它可在宽环境范围内运行,并为工业应用和电力转换应用提供强大的连续漏电流和电压能力。

特性和优点：

• 333A 连续漏电流,适用于重负载处理
• 适用于中等电压系统的 80V 漏源额定值
• 1.3mΩ 低导通电阻，可减少导通损耗
• 278W最大功耗提供散热余量
• 158nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为

应用

• 适用于高电流 DC-DC 转换器
• 适用于电机驱动器和变频器
• 与服务器中的配电模块配合使用
• 可用于高功率电池管理系统

此设备允许驱动的栅极电压范围是多少?

栅极可与电源相比驱动高达 20V,且不超过指定限值。

它采用哪种封装和安装方式进行组装？

它采用 HSOF-8 封装,配置用于印刷电路组件的表面安装。

该设备在低温条件下的性能如何?

它的额定工作温度低至-55°C,可在寒冷气候环境中使用。

哪些物理封套测量对 PCB 占地面积规划至关重要?

该组件的尺寸为 10.1mm x 10.58mm,高度为 2.4mm。

这款设备是否符合汽车级标准?

它不属于汽车级组件。