Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=80 V, 333 A, HSOF-8, 表面安装, 8引脚, IPT013N08NM5LFATMA1, IPT系列
- RS 库存编号:
- 236-1587P
- 制造商零件编号:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 10 件 (按连续条带形式提供)*
¥446.70
(不含税)
¥504.80
(含税)
有库存
- 3 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB44.67 |
| 100 - 249 | RMB43.79 |
| 250 - 499 | RMB42.87 |
| 500 + | RMB42.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-1587P
- 制造商零件编号:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 333A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | IPT | |
| 包装类型 | HSOF-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 158nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 10.58 mm | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 高度 | 2.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 333A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 IPT | ||
包装类型 HSOF-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 158nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 10.58 mm | ||
长度 10.1mm | ||
高度 2.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 5 线性 FET ， 80 V MOSFET。该产品完全符合 JEDEC 标准，适用于工业应用。
特别适用于热插拔和电熔丝应用
极低接通电阻 RDS (接通)
宽安全工作区域 SOA
N 通道，正常电平
通过 100% 雪崩测试
无铅镀层，无卤