Toshiba N沟道MOS管, Vds=30 V, 3.5 A, SOT-23, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 236-3575P
- 制造商零件编号:
- SSM3K329R,LF(T
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 - 200 | RMB1.319 |
| 250 - 450 | RMB1.286 |
| 500 - 950 | RMB1.254 |
| 1000 + | RMB1.223 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3575P
- 制造商零件编号:
- SSM3K329R,LF(T
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.89e+008 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | 硅 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.5 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.89e+008 Ω | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 硅 | ||
Toshiba 场效应晶体管由硅材料制成，具有 N 沟道 MOS 型。它主要用于电源管理切换和高速切换应用。
存储温度范围 −55 至 150 °C