Toshiba N型沟道 MOSFET, Vds=75 V, 168 A, SOP, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 236-3629P
- 制造商零件编号:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3629P
- 制造商零件编号:
- TPH2R608NH,L1Q(M
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 168A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.6mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 72nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 2.5W | |
| 正向电压 Vf | -1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 168A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 SOP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.6mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 72nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 2.5W | ||
正向电压 Vf -1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.95mm | ||
长度 6mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Toshiba MOSFET 由硅材料制成，具有 N 沟道 MOS 型。它主要用于高效率直流 - 直流转换器和开关电压调节器应用。
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