Infineon N沟道MOSFET, Vds=25 V, Id=479 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列

RS 库存编号:: 236-3639
制造商零件编号:: BSC004NE2LS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=25 V, Id=479 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列

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RS 库存编号:: 236-3639
制造商零件编号:: BSC004NE2LS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	479A
	最大漏源电压 Vd	25V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS™
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	0.45mΩ
	最大功耗 Pd	188W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	135nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	正向电压 Vf	1V
	最高工作温度	175°C
	宽度	6.35mm
	长度	5.49mm
	高度	1.1mm
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 479A
	最大漏源电压 Vd 25V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS™
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 0.45mΩ
	最大功耗 Pd 188W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 135nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	正向电压 Vf 1V
	最高工作温度 175°C
	宽度 6.35mm
	长度 5.49mm
	高度 1.1mm
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - BSC004NE2LS5ATMA1

Infineon OptiMOSTM 系列 MOSFET,25V 最大漏源电压,479A 最大连续漏电流 - BSC004NE2LS5ATMA1

这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道半导体,专为要求严苛的热环境中的表面贴装式电源开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要大量连续漏电流和低传导损耗的应用,同时采用 TDSON 封装。

特性和优点：

• 479A 连续漏电流可减少高负载时的传导限制
• 0.45mΩ 最大 RDS(接通)可降低接通状态能耗
• 25V 最大漏源电压允许低电压功率级
• 188W 最大功耗,支持高热负载
• 135nC 典型栅极电荷,可实现栅极驱动设计的受控切换
• 20V 最大栅极-源电压可实现可靠的栅极驱动空间

应用

• 适用于高电流直流配电模块
• 特别适用于低压转换器的同步整流
• 用于需要高峰值电流的电机逆变器级
• 可用于电池管理和高功率电池
• 用于电信整流器的功率级

它能承受多高的环境温度?

其工作温度范围为-55°C至175°C。

它采用哪种封装和安装方式？

它采用 TDSON 封装,适用于表面安装。

其栅极驱动要求对设计有何影响?

135nC 栅极电荷需要驱动器尺寸,以实现更高的电荷传输以满足所需的开关速度和损耗。

它采用哪种通道极性,这对使用情况有何影响?

它采用N通道拓扑结构,适用于低侧开关和同步整流器配置。

在设计过程中,应遵守哪些电压和电流限制?

设计应符合 25V 的最大漏源电压和 479A 的最大连续漏电流。