Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 479 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC004NE2LS5ATMA1, OptiMOS™系列

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236-3639
制造商零件编号:
BSC004NE2LS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

479A

最大漏源电压 Vd

25V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS™

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.45mΩ

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

135nC

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

188W

最高工作温度

175°C

高度

1.1mm

宽度

6.35 mm

标准/认证

No

长度

5.49mm

汽车标准

Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通过在待机和完全操作中实现最高功率密度和能效,提供基准解决方案。它提供 0.45 m Ω 的漏极源通态电阻。

最高效

SuperSO8 封装中具有最高功率密度

降低整体系统成本

符合 RoHS

无卤素