Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=25 V, 479 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC004NE2LS5ATMA1, OptiMOS™系列
- RS Stock No.:
- 236-3641
- Mfr. Part No.:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
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Units | Per unit | Per Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB18.464 | RMB92.32 |
| 10 - 95 | RMB18.004 | RMB90.02 |
| 100 - 245 | RMB17.55 | RMB87.75 |
| 250 - 495 | RMB17.11 | RMB85.55 |
| 500 + | RMB16.684 | RMB83.42 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 236-3641
- Mfr. Part No.:
- BSC004NE2LS5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 479A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.45mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 135nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.35 mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 479A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 OptiMOS™ | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.45mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 135nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.35 mm | ||
高度 1.1mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.49mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通过在待机和完全操作中实现最高功率密度和能效，提供基准解决方案。它提供 0.45 m Ω 的漏极源通态电阻。
最高效
SuperSO8 封装中具有最高功率密度
降低整体系统成本
符合 RoHS
无卤素