Infineon N沟道MOSFET, Vds=25 V, Id=479 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计 10 件 (按连续条带形式提供)*

RMB253.76

(不含税)

RMB286.75

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 4,970 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
10 - 95RMB25.376
100 - 245RMB24.736
250 - 495RMB24.116
500 +RMB23.516

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
236-3641P
制造商零件编号:
BSC004NE2LS5ATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

479A

最大漏源电压 Vd

25V

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS™

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.45mΩ

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

135nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

188W

最高工作温度

175°C

长度

5.49mm

标准/认证

No

宽度

6.35mm

高度

1.1mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOSTM 系列 MOSFET,25V 最大漏源电压,479A 最大连续漏电流 - BSC004NE2LS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道半导体,专为要求严苛的热环境中的表面贴装式电源开关而设计。它可在宽温度范围内运行,适用于需要大量连续漏电流和低传导损耗的应用,同时采用 TDSON 封装。

特性和优点：


• 479A 连续漏电流可减少高负载时的传导限制
• 0.45mΩ 最大 RDS(接通)可降低接通状态能耗
• 25V 最大漏源电压允许低电压功率级
• 188W 最大功耗,支持高热负载
• 135nC 典型栅极电荷,可实现栅极驱动设计的受控切换
• 20V 最大栅极-源电压可实现可靠的栅极驱动空间

应用


• 适用于高电流直流配电模块
• 特别适用于低压转换器的同步整流
• 用于需要高峰值电流的电机逆变器级
• 可用于电池管理和高功率电池
• 用于电信整流器的功率级

它能承受多高的环境温度?


其工作温度范围为-55°C至175°C。

它采用哪种封装和安装方式？


它采用 TDSON 封装,适用于表面安装。

其栅极驱动要求对设计有何影响?


135nC 栅极电荷需要驱动器尺寸,以实现更高的电荷传输以满足所需的开关速度和损耗。

它采用哪种通道极性,这对使用情况有何影响?


它采用N通道拓扑结构,适用于低侧开关和同步整流器配置。

在设计过程中,应遵守哪些电压和电流限制?


设计应符合 25V 的最大漏源电压和 479A 的最大连续漏电流。

相关链接