制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=433 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列

RS 库存编号:: 236-3643
制造商零件编号:: BSC005N03LS5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=433 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列

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RS 库存编号:: 236-3643
制造商零件编号:: BSC005N03LS5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	433A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	TDSON
	系列	OptiMOS™
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	5.5mΩ
	正向电压 Vf	1V
	最大功耗 Pd	188W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	59nC
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	高度	1.1mm
	长度	5.49mm
	标准/认证	No
	宽度	6.35mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 433A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 TDSON
	系列 OptiMOS™
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 5.5mΩ
	正向电压 Vf 1V
	最大功耗 Pd 188W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	高度 1.1mm
	长度 5.49mm
	标准/认证 No
	宽度 6.35mm
	汽车标准否

Datasheet - BSC005N03LS5ATMA1

Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 通过在待机和完全操作中实现最高功率密度和能效，提供基准解决方案。它提供 0.55 m Ω 的漏极源通态电阻。

最高效

SuperSO8 封装中具有最高功率密度

降低整体系统成本

符合 RoHS

无卤素

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