Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=433 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列

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包装方式:
RS 库存编号:
236-3643P
制造商零件编号:
BSC005N03LS5ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

433A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

OptiMOS™

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

5.5mΩ

最大功耗 Pd

188W

最大栅源电压 Vgs

20V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

59nC

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

宽度

6.35mm

标准/认证

No

高度

1.1mm

长度

5.49mm

汽车标准

否

Infineon OptiMOSTM 系列 MOSFET,30V 最大漏源电压,433A 最大连续漏电流 - BSC005N03LS5ATMA1


这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道型晶体管,专为要求严苛的热环境中的表面贴装式电源开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要低导电损耗和大量连续漏电流容量的应用,同时采用 TDSON 封装。

特性和优点:


• 433 A 连续漏电流可实现大电流切换
• 5.5mΩ 低 Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 30V漏源额定值支持中等电压功率级别
• 188W 功耗支持高功率处理
• 59 nC 栅极电荷支持可预测的栅极驱动能量规划
• ±20 V 最大栅极-源电压提供宽驱动空间

应用


• 适用于高电流 DC-DC 转换器和调节器
• 适用于服务器电源导轨和电信电源模块
• 用于需要高持续电流的电机驱动级
• 可用于电池管理和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件

哪些封装因素会影响热管理?


TDSON 表面贴装封装提供薄型封装,并需要合适的 PCB 铜面积或热通道,以在板级热限制范围内有效地耗散其 188 W 额定功率。

该设备如何应对恶劣的环境温度?


其工作温度范围为-55°C至175°C,可在宽温度范围内使用,在许多高温环境中不会降额。

应遵守哪些栅极驱动要求?


驱动电路必须将栅极电压保持在 ±20 V 范围内,并在调整驱动器峰值电流和开关定时时考虑 59 nC 总栅极电荷。

设计人员应如何规划传导和开关损耗?


使用 5.5 mΩ Rds(on) 计算 I^2R 传导损耗,并在计算总热和效率预算时包括充电 59 nC 栅极的能量。

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