Infineon N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=433 A, 8针, TDSON, OptiMOS™系列
- RS 库存编号:
- 236-3643P
- 制造商零件编号:
- BSC005N03LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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| 250 - 495 | RMB18.442 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 236-3643P
- 制造商零件编号:
- BSC005N03LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 433A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5.5mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 188W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 59nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.35mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 5.49mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 433A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 OptiMOS™ | ||
包装类型 TDSON | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5.5mΩ | ||
最大功耗 Pd 188W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 59nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.35mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
长度 5.49mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon OptiMOSTM 系列 MOSFET,30V 最大漏源电压,433A 最大连续漏电流 - BSC005N03LS5ATMA1
这款 MOSFET 是一款高电流 N 沟道型晶体管,专为要求严苛的热环境中的表面贴装式电源开关而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要低导电损耗和大量连续漏电流容量的应用,同时采用 TDSON 封装。
特性和优点:
• 433 A 连续漏电流可实现大电流切换
• 5.5mΩ 低 Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 30V漏源额定值支持中等电压功率级别
• 188W 功耗支持高功率处理
• 59 nC 栅极电荷支持可预测的栅极驱动能量规划
• ±20 V 最大栅极-源电压提供宽驱动空间
• 5.5mΩ 低 Rds(on) 可减少负载下的传导损耗
• 30V漏源额定值支持中等电压功率级别
• 188W 功耗支持高功率处理
• 59 nC 栅极电荷支持可预测的栅极驱动能量规划
• ±20 V 最大栅极-源电压提供宽驱动空间
应用
• 适用于高电流 DC-DC 转换器和调节器
• 适用于服务器电源导轨和电信电源模块
• 用于需要高持续电流的电机驱动级
• 可用于电池管理和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
• 适用于服务器电源导轨和电信电源模块
• 用于需要高持续电流的电机驱动级
• 可用于电池管理和配电
• 适用于紧凑型表面贴装电源组件
哪些封装因素会影响热管理?
TDSON 表面贴装封装提供薄型封装,并需要合适的 PCB 铜面积或热通道,以在板级热限制范围内有效地耗散其 188 W 额定功率。
该设备如何应对恶劣的环境温度?
其工作温度范围为-55°C至175°C,可在宽温度范围内使用,在许多高温环境中不会降额。
应遵守哪些栅极驱动要求?
驱动电路必须将栅极电压保持在 ±20 V 范围内,并在调整驱动器峰值电流和开关定时时考虑 59 nC 总栅极电荷。
设计人员应如何规划传导和开关损耗?
使用 5.5 mΩ Rds(on) 计算 I^2R 传导损耗,并在计算总热和效率预算时包括充电 59 nC 栅极的能量。
