Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=700 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPP65R190CFD7XKSA1, CoolMOS系列

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236-3667
制造商零件编号:
IPP65R190CFD7XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

12A

最大漏源电压 Vd

700V

包装类型

TO-220

系列

CoolMOS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

190mΩ

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1V

最大功耗 Pd

63W

最大栅源电压 Vgs

20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

23nC

最高工作温度

150°C

长度

10.36mm

标准/认证

No

高度

9.45mm

宽度

4.57 mm

汽车标准

Infineon CoolMOS 超结 MOSFET 带集成快速主体二极管,是用于谐振高功率拓扑的理想选择。它特别适用于工业应用,如服务器,电信,太阳能和 EV 充电站, 与竞争对手相比,它可显著提高效率。漏极电流为 12 A

出色的硬换向坚固性

额外的安全余量,用于增加总线电压的设计

实现更高的功率密度

工业 SMPS 应用中的卓越的轻负载效率

提高了工业 SMPS 应用中的满载效率

与市场上的替代产品相比,价格竞争力